电磁波
说明
仅包括薛老师后半学期内容,因为我前半学期没学明白。
坡印廷定理
瞬时 Poynting 定理
其中 Poynting 矢量 \(\mathbf{S}=\mathbf{E}\times\mathbf{H}\)
时谐 Maxwell 方程组与波动方程的导出
由时域 Maxwell 方程组
结合傅里叶变换性质
得到
频域 Maxwell 方程组
对应的边值关系为
时谐场的能流与复数 Poynting 定理
由频域 Maxwell 方程组推导出频域能量守恒关系:
对 \(\vec E\cdot (\nabla\times \vec H)=\vec E\cdot\vec J-i\omega\vec E\cdot \vec D\) 和 \(-\vec H\cdot(\nabla\times \vec E)=-i\omega\vec H\cdot \vec B\) 相加
利用恒等式 \(\vec A\cdot(\nabla\times \vec B) = \nabla\cdot(\vec A\times \vec B) + \vec B\cdot(\nabla\times\vec A)\),可得:
即:
对上式两边取时域平均:
记 \(\mathbf{E}, \mathbf{H}\) 为复包络,\(\vec E(t)=\mathrm{Re}[\mathbf{E}(t)e^{i\omega t}]\),设为时间 \(T\) 的平均为 \(\langle f(t) \rangle=\frac{1}{T}\int_0^T f(t)\,\mathrm{d}t\),其中 \(T=\frac{2\pi}{\omega}\),则
定义复 Poynting 矢量:
于是有复 Poynting 定理:
对上式两边分别取实部与虚部得到:
- 实部(时间平均功率密度):
- 虚部(无功功率密度):
均匀介质内的电磁波
均匀平面波形如
$$
\vec E(\vec{x},t)=\vec{E}_0\exp{ } i\left(\vec{k}\cdot\vec{x}-\omega t\right)
$$
其中波矢 \(|\vec{k}|=\omega\sqrt{\mu\varepsilon}\),方向沿波传播方向;
相速度 \(\vec v_p=\frac{\omega}{k}\hat k=\frac{1}{\sqrt{\mu\varepsilon}}\hat k\);
折射率 \(n=\frac{c}{v_p}=\sqrt{\varepsilon_r\mu_r} \boxed{\approx\sqrt{\varepsilon_r}}\);
波长 \(\lambda=\frac{2\pi}{k}\),波阻抗 \(\eta=\sqrt\frac{\mu}{\varepsilon}=\boxed{\frac{|E|}{|H|}}\)。
对于电磁波有平均电场储能 = 平均磁场储能。即
电磁波为 横波。从而
介质表面的电磁波
在介质表面,会发生反射和折射。这类问题一般假设
得到界面两侧电磁场
$$
\begin{cases}
\vec E_1=\vec E_i+\vec E_r\\
\vec E_2=\vec E_t\\
\vec H_1=\hat k_i\times\frac{\vec E_i}{\eta_1}+\hat k_r\times\frac{\vec E_r}{\eta_1}\\
\vec H_2=\hat k_t\times\frac{\vec E_t}{\eta_2}\
\end{cases}
$$
再带入切向边值关系(法向自然成立)
$$
\begin{cases}
\hat{n}\times(\vec E_2-\vec E_1)=0\\
\hat{n}\times(\vec H_2-\vec H_1)=0\
\end{cases}
$$
进行求解。对于反射与折射问题,有如下结论:
Snell定律(角度关系)
$$
\begin{cases}
\theta_i=\theta_r\\
n_1\sin\theta_i=n_2\sin\theta_t
\end{cases}
$$
Fresnel公式(幅度关系)
$$
\text{N波:}
\begin{cases}
\displaystyle
\frac{E_{0r}}{E_{0i}}=-\frac{\sin\left(\theta_i-\theta_t\right)}{\sin\left(\theta_i+\theta_t\right)}\\
\displaystyle
\frac{E_{0t}}{E_{0i}}=\frac{2\cos\theta_i\sin\theta_t}{\sin\left(\theta_i+\theta_t\right)}\
\end{cases}
$$
$$
\text{P波:}
\begin{cases}
\displaystyle
\frac{E_{0r}}{E_{0i}}=\frac{\tan\left(\theta_i-\theta_t\right)}{\tan\left(\theta_i+\theta_t\right)}\\
\displaystyle
\frac{E_{0t}}{E_{0i}}=\frac{2\cos\theta_i\sin\theta_t}{\sin\left(\theta_i+\theta_t\right)\cos\left(\theta_i-\theta_t\right)}\
\end{cases}
$$
考虑入射面为 \(yOz\) 平面、介质面为 \(xOy\) 的情况,有
$$
\vec k_t=
\begin{bmatrix}
0\
k_t\sin\theta_t\\
k_t\cos\theta_t\
\end{bmatrix}=
\begin{bmatrix}
0\\
k_i\sin\theta_i\\
k_i\sqrt{n_{21}2-\sin2\theta_i}
\end{bmatrix}
:=
\begin{bmatrix}
k_{tx}\\
k_{ty}\\
k_{tz}
\end{bmatrix}
$$
这里利用了
$$
k_t=n_{21}k_i\quad,\quad\sin\theta_{t}=\frac{\sin\theta_{i}}{n_{21}}\quad,\quad n_{21}=\frac{n_2}{n_1}
$$
对应介质 2 侧电场
对于 \(\sin\theta_i>n_{21}\) 的情形,有
进而介质 2 侧
此时电场幅度沿 \(z\) 轴指数衰减,穿透深度为
称发生了 全反射。此时反射波体现为相位移动:
由于通常 \(\phi_N \ne \phi_P\),因此 线偏振光全反射后一般不再线偏振。
关于反射的其他二级结论:
- 半波损:N波光疏入光密,会发生相移 \(\pi\)
- Brewster角:当 \(\theta_i + \theta_t = \pi/2\),P波无反射(此时 \(\theta_i = \theta_B = \arctan n_{21}\) 称为 Brewster 角)
介质面的能流分析
功率反射率
$$
R=-\frac{\hat n\cdot\left<\vec S_r\right>}{\hat n\cdot \left<\vec S_i\right>}=\left|\frac{E_{0r}}{E_{0i}}\right|^2
$$
功率透射率
$$
T=-\frac{\hat n\cdot\left<\vec S_t\right>}{\hat n\cdot \left<\vec S_i\right>}
=\left|\frac{E_{0t}}{E_{0i}}\right|^2\frac{\eta_1\cos\theta_t}{\eta_2\cos\theta_i}
$$
全反射时,有
同时
为纯虚数,进而法向透射平均能流为 0,只有瞬时能流。
导体内的电磁波
电荷变化满足
$$
\rho=\rho_0\exp{ }-\frac{t}{\tau}
$$
其中 \(\tau=\varepsilon/\sigma\) 为特征时间。若导体满足
$$
\tau \ll T_\text{波}
$$
即
$$
\boxed{\frac{\sigma}{\omega\varepsilon} \gg 1}
$$
导体内有Ohm定律
$$
\vec J = \sigma \vec E
$$
良导体内的频域Maxwell方程组
$$
\begin{cases}
\nabla \times \vec{E} = i \omega \mu \vec{H} \\
\nabla \times \vec{H} = \sigma \vec{E} - i \omega \varepsilon \vec{E} := -i \omega \tilde{\varepsilon} \vec{E} \\
\nabla \cdot \vec{E} = 0 \\
\nabla \cdot \vec{H} = 0 \
\end{cases}
$$
其中复介电常数 \(\tilde{\varepsilon} = \varepsilon + i \frac{\sigma}{\omega}\),复折射率
$$
\tilde{n} = \sqrt{\tilde{\varepsilon}} = \sqrt{\varepsilon + i \frac{\sigma}{\omega}} = \sqrt{\varepsilon_r \left(1 + i \frac{\sigma}{\omega \varepsilon}\right)},
$$
可以在形式上继续套用 Fresnel 公式。
下面考虑真空射入良导体的问题。方法与先前类似。仍然假设
则可以得到
进而透射波的形式为
对于垂直入射,有
对于斜入射,则 \(\vec{\alpha}\) 垂直于界面,而 \(\vec{\beta}\) 接近垂直于界面,因此与垂直入射情况类似。
从而穿透深度
磁场
即良导体内部电磁场能量以磁场能量为主。
对于反射波而言,有
导体表面正入射反射波性质
幅度
功率反射率
同时对于透射波,单位面积产生焦耳热
定义表面电流
和表面电阻
则焦耳热可以写成
考虑 \(\sigma \to \infty\) 的情形,则穿透深度 \(\delta \to 0\),此时称为理想导体。理想导体内部没有电磁场,电荷、电流只分布在表面。此时仅需要讨论反射问题,边值关系只需要满足
$$
\hat{n} \times \vec{E} = 0
$$
即可。
对于 N 波,此时有总电场(假设界面为 \(yOz\) 平面,入射面 \(xOz\))
$$
\vec{E} = \vec{E}_i + \vec{E}_r = i 2 E_0 \sin k_x x \hat{e}_y \exp{ } i k_z z
$$
其中 \(k_z = k \sin \theta\), \(k_x = k \cos \theta\)。该场沿着 \(x\) 方向为驻波,沿着 \(z\) 方向为行波,为横电场(TE)模式。同时在 \(x = -\frac{n \pi}{k_x}\) 处放第二块平行金属板,或在垂直于 \(y\) 轴方向放两个金属板,都不会影响原有的场分布。
波导与导波模式
求解方法:从
- 得出场的纵向分量和横向分量的关系
- 先求纵向分量
- 再求横向分量
对于矩形波导 \(a \times b\),三种模式的波分别为:
TM模
纵向(Z)
$$
E_z = E_0 \sin\frac{m\pi}{a} x \sin\frac{n\pi}{b} y \quad, \quad H_z = 0
$$
横向(T)
$$
\vec{E}_t = \frac{i \beta}{k_c^2} \frac{m\pi}{a} E_0 \cos\frac{m\pi}{a} x \sin\frac{n\pi}{b} y \hat{e}_x + \frac{i \beta}{k_c^2} \frac{n\pi}{b} E_0 \sin\frac{m\pi}{a} x \cos\frac{n\pi}{b} y \hat{e}_y
$$
\(TM_{mn}\) 模性质
- 基模 \(TM_{11}\);
- 行波条件:
$$
\beta = \sqrt{k^2 - k_c^2} = \frac{1}{c} \sqrt{\omega^2 - \omega_c^2} \quad \text{为实数}
$$
其中 \(\omega_c = c k_c\) 称为截止频率,高于该频率 \(TM_{mn}\) 模式才可以传播;
$$
k_c^2 = \boxed{\left(\frac{m\pi}{a}\right)^2 + \left(\frac{n\pi}{b}\right)^2}
$$
- 相速度为
$$
v_p = \frac{\omega}{\beta} = \boxed{\frac{c}{\sqrt{1 - \left(\frac{\omega_c}{\omega}\right)^2}}}
$$
TE模
纵向(Z)
$$
E_z = 0 \quad, \quad H_z = H_0 \cos\frac{m\pi}{a} x \cos\frac{n\pi}{b} y
$$
横向(T)
$$
\vec{E}_t = -\frac{i \omega \mu}{k_c^2} \frac{n\pi}{b} H_0 \cos\frac{m\pi}{a} x \sin\frac{n\pi}{b} y \hat{e}_x + \frac{i \omega \mu}{k_c^2} \frac{m\pi}{a} H_0 \sin\frac{m\pi}{a} x \cos\frac{n\pi}{b} y \hat{e}_y
$$
$$
\vec{H}_t = -\frac{i \beta}{k_c^2} \frac{m\pi}{a} H_0 \sin\frac{m\pi}{a} x \cos\frac{n\pi}{b} y \hat{e}_x - \frac{i \beta}{k_c^2} \frac{n\pi}{b} H_0 \cos\frac{m\pi}{a} x \sin\frac{n\pi}{b} y \hat{e}_y
$$
\(TE_{mn}\) 模性质
- 基模 \(TE_{01}, TE_{10}\);
- 行波条件:
$$
\beta = \sqrt{k^2 - k_c^2} = \frac{1}{c} \sqrt{\omega^2 - \omega_c^2} \quad \text{为实数}
$$
其中 \(\omega_c = c k_c\) 称为截止频率,高于该频率 \(TM_{mn}\) 模式才可以传播;
$$
k_c^2 = \boxed{\left(\frac{m\pi}{a}\right)^2 + \left(\frac{n\pi}{b}\right)^2}
$$
- 相速度为
$$
v_p = \frac{\omega}{\beta} = \boxed{\frac{c}{\sqrt{1 - \left(\frac{\omega_c}{\omega}\right)^2}}}
$$
TEM模
注意
矩形波导不能传 TEM 模
对于谐振腔 \(a \times b \times c\),有:
谐振频率
$$
\omega_{mnp} = \frac{1}{\sqrt{\varepsilon \mu}} \sqrt{\left(\frac{m\pi}{a}\right)^2 + \left(\frac{n\pi}{b}\right)^2 + \left(\frac{p\pi}{c}\right)^2}
$$
其中 \(m, n, p\) 至多有一个 0。谐振腔内有
$$
\int \langle W_e \rangle dV = \int \langle W_m \rangle dV
$$
即总平均电场能 = 总平均磁场能。
辐射问题
D'Alembert方程及其解
辐射问题中,已知全空间的 \(\rho\) 和 \(\vec{J}\) 分布,欲求解全空间的 \(\vec{E}\) 和 \(\vec{B}\)。
由时域 Maxwell 方程组
利用关系
得到
再由
Coulomb规范
$$
\nabla \cdot \vec{A} = 0
$$
Lorentz规范
$$
\nabla \cdot \vec{A} + \frac{1}{c^2} \frac{\partial}{\partial t} \varphi = 0
$$
得到D'Alembert方程
进而解得推迟势解
其中推迟时间
$$
t_r = t - \frac{r}{c}
$$
进而求导得到电磁场 \(\vec{E}, \vec{B}\) 的解(Jefimenko公式):
其中 \(\frac{1}{r^2}\) 项不产生辐射,只有 \(\frac{1}{r}\) 项产生辐射。
时谐场的辐射
对电流连续性方程
$$
\nabla \cdot \vec{J} + \frac{\partial}{\partial t} \rho = 0
$$
和Lorentz规范
$$
\nabla \cdot \vec{A} + \frac{1}{c^2} \frac{\partial}{\partial t} \varphi = 0
$$
作傅里叶变换得到
进而根据 \(\vec{J}\) 和 \(\vec{A}\) 就可以确定电磁场。根据推迟势解
$$
\vec{A}(\vec{x}, t) = \frac{\mu_0}{4 \pi} \int \frac{\vec{J}(\vec{x}', t_r)}{r} dV' = \vec{A}(\vec{x}) \exp{ }(-i \omega t)
$$
结合时谐条件
$$
\vec{J}(\vec{x}', t_r) = \vec{J}(\vec{x}') \exp{ }(-i \omega t_r) = \vec{J}(\vec{x}') \exp{ }(i k r) \exp{ }(-i \omega t)
$$
其中用到了
$$
t_r = t - \frac{r}{c}, \quad k = \frac{\omega}{c}
$$
从而得到
$$
\vec{A}(\vec{x}) = \frac{\mu_0}{4 \pi} \int \frac{\vec{J}(\vec{x}') \exp{ }(i k r)}{r} dV'
$$
考虑远场近似
$$
\vec{x}' \ll \vec{x}, \quad r \approx R - \hat{R} \cdot \vec{x}', \quad \frac{1}{r} \approx \frac{1}{R} + \frac{\hat{R} \cdot \vec{x}'}{R^2}
$$
得到
$$
\vec{A}(\vec{x}) = \frac{\mu_0}{4 \pi R} \exp{ }(i k R) \int \vec{J}(\vec{x}') \exp{ }(i k \hat{R} \cdot \vec{x}') \left(1 + \frac{\hat{R} \cdot \vec{x}'}{R}\right) dV'
$$
进而考虑 \(\rho, \vec{J}\) 集中在小区域的情形,即
$$
|\vec{x}'| \ll \lambda = \frac{2 \pi}{k}, \quad \exp{ }(i k \hat{R} \cdot \vec{x}') \approx 1 - i k \hat{R} \cdot \vec{x}'
$$
即可得到
时谐场的远场辐射多级展开
$$
\vec{A}(\vec{x}) = \frac{\mu_0}{4 \pi R} \exp{ }(i k R) \int \vec{J}(\vec{x}') \left(1 + \left(\frac{1}{R} - i k \right) \hat{R} \cdot \vec{x}' + \cdots \right) dV'
$$
电偶极辐射
上述式中第一项
$$
\vec{A}(\vec{x}) = \frac{\mu_0}{4 \pi R} \exp{ }(i k R) \int \vec{J}(\vec{x}') dV'
$$
对应电偶极辐射。相应地
$$
\vec{A}(\vec{x}, t) = \frac{\mu_0}{4 \pi R} \exp{ }(i k R) \int \vec{J}(\vec{x}', t) dV'
$$
进而结合
$$
\frac{\partial}{\partial t} \vec{p}(t) = \int \vec{J}(\vec{x}', t) dV'
$$
得到
$$
\vec{A}(\vec{x}, t) = \frac{\mu_0}{4 \pi R} \exp{ }(i k R) \dot{\vec{p}}(t)
$$
再利用 \(\vec{p}(t) = \vec{p}_0 \exp{ }(-i \omega t)\) 得到
电偶极辐射公式
$$
\vec{A}(\vec{x}, t) = -i \omega \frac{\mu_0}{4 \pi R} \exp{ }(i k R) \vec{p}_0 \exp{ }(-i \omega t)
$$
根据
$$
\vec{B} = \nabla \times \vec{A}, \quad \vec{E} = \frac{i c}{k} \nabla \times \vec{B}
$$
在球坐标系下得到
$$
\vec{B} = -\frac{p_0 k^3}{4 \pi \varepsilon_0 c} \left( \frac{i}{(k R)^2} + \frac{1}{k R} \right) \sin \theta \exp{ } i(k R - \omega t) \hat{\phi}
$$
分区域讨论:
1. 近区 (\(R \ll \lambda\)),近似于静场;
2. 远区 (\(R \gg \lambda\)),近似于 TEM 波;
3. 过渡区介于二者之间。
特别对于远区,有
总辐射功率
天线
主要讨论短天线和半波天线两种。对于短天线 \(l \ll \lambda\),其电流分布为
其电偶极矩振幅
从而辐射功率
其中辐射阻抗
很小,故辐射能力很弱。
对于半波天线 \(l = \frac{\lambda}{2}\),其电流分布为
进而由近似 \(r \approx R - z \cos \theta\) 得到矢量位
进而
$$ \vec{E} = -i \frac{\mu_0 c I_0 \exp{ }(i k R)}{2 \pi k R} \frac{\cos\left(\frac{\pi}{2} \cos \theta\right)}{\sin \theta} \hat{\theta} $$ 辐射能流
$$ \left< \vec{S} \right> \propto \frac{\cos^2\left(\frac{\pi}{2} \cos \theta\right)}{\sin^2 \theta} $$ 辐射阻抗